Высокочастотная память стандарта DDR2 уже давно выпускается фактически всеми основными производителями памяти. Ранее такая память была адресована лишь любителям разгона, но с выходом процессоров AMD Phenom, официально поддерживающих память DDR2-1066, получает прописку и на «штатной основе». Пока довольно ограниченную, но по мере расширения линейки Phenom, роста частоты и т.п., очевидно, что среди покупателей таких процессоров окажется немало желающих использовать возможности интегрированного контроллера памяти в полной мере, тем более что, как показывают наши исследования, в случае с AMD-платформой, игра стоит свеч.
Наиболее ходовым объемом памяти, на который разумно ориентироваться, собирая домашний (да и «служебный») компьютер, на сегодня является 2 ГБ. Двухканальный комплект памяти от Chaintech именно такого объема, мы сейчас и рассмотрим. Как и все представители серии Apogee GT, модули снабжены радиаторами с характерной гребенкой, напоминающей запатентованную систему охлаждения Corsair DHX, однако радиаторы в данном случае отводят тепло только от чипов памяти, дополнительного контакта с печатной платой не обеспечивается. Впрочем на протяжении всего тестирования модули оставались чуть теплыми, чему способствовал стандартный «коробочный» кулер на процессоре. Радиатор на нем ориентирован перпендикулярно слотам памяти, что способствует обдуву модулей памяти. Информация о производителе модуля
Производитель модуля: Walton Chaintech Corporation
Производитель микросхем модуля: неизвестен
Сайт производителя модуля: Walton ChaintechВнешний вид модуля
Part Number модуля
Руководство по расшифровке Part Number модулей памяти на сайте производителя отсутствует. Есть лишь краткое описание на сайте. Apogee GT DDR2-1100 представляет собой комплект из двух модулей объемом 1024 KБ каждый, основанных на 16 микросхемах в FBGA-упаковке с конфигурацией 64M x 8. Производитель гарантирует стабильную работу модулей в режиме DDR2-800 при таймингах 5-5-5-15 и питающем напряжении 1,8 В, а также DDR2-1100 с аналогичными таймингами и напряжении 2,3 В. В микросхеме SPD в качестве режима по умолчанию выбран режим DDR2-800 со схемой таймингов 5-5-5-15 и напряжением питания 1,8 В.Данные микросхемы SPD модуля
Описание общего стандарта SPD:
Описание специфического стандарта SPD для DDR2:
| Параметр | Байт | Значение | Расшифровка |
| Фундаментальный тип памяти | 2 | 08h | DDR2 SDRAM |
| Общее количество адресных линий строки модуля | 3 | 0Eh | 14 (RA0-RA13) |
| Общее количество адресных линий столбца модуля | 4 | 0Ah | 10 (CA0-CA9) |
| Общее количество физических банков модуля памяти | 5 | 60h | 2 физических банка |
| Внешняя шина данных модуля памяти | 6 | 40h | 64 бит |
| Уровень питающего напряжения | 8 | 05h | SSTL 1.8V |
| Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при максимальной задержке CAS# (CL X) | 9 | 25h | 2.50 нс (400 МГц) |
| Тип конфигурации модуля | 11 | 00h | Non-ECC |
| Тип и способ регенерации данных | 12 | 82h | 7.8125 мс — 0.5x сокращенная саморегенерация |
| Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти | 13 | 08h | x8 |
| Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти ECC-модуля | 14 | 00h | Не определено |
| Длительность передаваемых пакетов (BL) | 16 | 0Ch | BL = 4, 8 |
| Количество логических банков каждой микросхемы в модуле | 17 | 04h | 4 |
| Поддерживаемые длительности задержки CAS# (CL) | 18 | 30h | CL = 5, 4 |
| Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-1) | 23 | 3Dh | 3.75 нс (266.7 МГц) |
| Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-2) | 25 | 50h | 5.00 нс (200.0 МГц) |
| Минимальное время подзарядки данных в строке (tRP) | 27 | 32h | 12.5 нс 5, CL = 5 3.33, CL = 4 |
| Минимальная задержка между активизацией соседних строк (tRRD) | 28 | 1Eh | 7.5 нс 3, CL = 5 2, CL = 4 |
| Минимальная задержка между RAS# и CAS# (tRCD) | 29 | 32h | 12.5 нс 5, CL = 5 3.33, CL = 4 |
| Минимальная длительность импульса сигнала RAS# (tRAS) | 30 | 25h | 37.0 нс 15, CL = 5 10, CL = 4 |
| Емкость одного физического банка модуля памяти | 31 | 80h | 512 МБ |
| Период восстановления после записи (tWR) | 36 | 3Ch | 15.0 нс 6, CL = 5 4, CL = 4 |
| Внутренняя задержка между командами WRITE и READ (tWTR) | 37 | 1Eh | 7.5 нс 3, CL = 5 2, CL = 4 |
| Внутренняя задержка между командами READ и PRECHARGE (tRTP) | 38 | 1Eh | 7.5 нс 3, CL = 5 2, CL = 4 |
| Минимальное время цикла строки (tRC) | 41, 40 | 39h, 30h | 57.5 нс 23, CL = 5 15.3, CL = 4 |
| Период между командами саморегенерации (tRFC) | 42, 40 | 69h, 30h | 105.0 нс 42, CL = 5 28, CL = 4 |
| Максимальная длительность периода синхросигнала (tCKmax) | 43 | 80h | 8.0 нс |
| Номер ревизии SPD | 62 | 12h | Ревизия 1.2 |
| Контрольная сумма байт 0-62 | 63 | D3h | 76 (верно) |
| Идентификационный код производителя по JEDEC | 64-71 | 00h, 00h | Не определено |
| Part Number модуля | 73-90 | — | AU1G08E32-1G6P501 |
| Дата изготовления модуля | 93-94 | 07h, 14h | 2007 год, 20 неделя |
| Серийный номер модуля | 95-98 | 00h, 00h, 00h, 00h | Не определено |
В SPD поддерживаются два значения задержки сигнала CAS# — 5 и 4. Первому (CL X = 5) соответствует режим функционирования DDR2-800 (время цикла 2.5 нс, частота 400 МГц) со схемой таймингов 5-5-5-15 (ровно), второму значению задержки сигнала CAS# (CL X-1 = 4) соответствует режим DDR2-533 (время цикла 3.75 нс, частота 266.7 МГц) с нестандартной схемой таймингов 4-3,3-3,3-10.
В очередной раз для модулей Chaintech довольно странно отсутствие достаточно распространенного режима DDR2-667, тем более, что вручную установить такой режим с типичной схемой таймингов 4-4-4-12 на стандартном напряжении не составило труда.
Номер ревизии SPD и контрольная сумма указаны верно, идентификационный код производителя и серийный номер модуля отсутствуют, а Part Number модуля не полностью соответствуют указанному на самих модулях.
Поддержка расширений SPD стандарта EPP в рассматриваемых модулях не предусмотрена, несмотря на заявленную поддержку частоты вплоть до DDR2-1100 со схемой таймингов 5-5-5-15 и напряжении 2,3 В.Конфигурация тестового стенда
- Процессор: AMD Phenom 9700 (Socket AM2), 2,4 ГГц (200x12), степпинг B2
- Чипсет: AMD 790FX
- Материнская плата: ASUS M3A32-MVP Deluxe, версия BIOS 801 от 26/12/2007
Мы протестировали модули в стандартном режиме (как DDR2-800) с основной схемой таймингов и напряжении 1,8 В. Затем установили делитель в значение соответствующее DDR2-1066, на что BIOS отреагировал установкой таймнгов 5-7-7-25, которые и решено было считать стандартными (вернее автоматически выбранными) для данного режима. Надо отметить, что память в таком режиме стабильно функционировала при относительно низком для такой частоты напряжении (1,95 В), соответственно, увеличивая напряжение, мы легко смогли вернуть тайминги к значению 5-5-5-15, однако дальнейшие попытки снизить тайминги, не выходя за пределы относительно безопасных 2,3 В, приводили к самопроизвольным перезапускам в тестах.
Следующим этапом тестирования была проверка работоспособности в, заявленном для модулей, режиме DDR2-1100 с таймингами 5-5-5-15 и напряжении 2,3 В. Для того чтобы получить такую частоту, пришлось немного разогнать процессор, однако система сохраняла стабильность без повышения каких-либо напряжений (за исключением напряжения на памяти, естественно). Дальнейший разгон потребовал смягчить тайминги, а полная стабильность сохранялась вплоть до частоты соответствующей DDR2-1150. Напряжение на процессоре, разогнанном до 2592 МГц было повышено всего на 0,1 В, и запас по наращиванию частоты оставался, то есть формально можно считать, что память не дотянула до разгонного потенциала процессора. Точнее удовлетворила бы запросы «неэкстремальных» разгонщиков, стремящихся оставаться в рамках штатного напряжения процессора, поскольку для дальнейшего разгона требовалось более существенно повышать напряжение на процессоре.
Все результаты получены в режиме с выключенным TLB-патчем (в BIOS от ASUS эта строчка называется CPU Tweak), поскольку, как уже отмечалось, применение патча серьезно снижает производительность, в то время как ни одного приложения или каких-то типичных условий, в которых бы проявлялась пресловутая «ошибка», до сих пор, не выявлено. Подчеркнем, что память как в режиме DDR2-800, так и DDR2-1066, работает именно на таких частотах на любом из процессоров Phenom (тогда как в случае с Athlon 64 X2 реальное значение частоты может отличаться в большую или меньшую сторону, поскольку частота памяти задается делителем от частоты процессора и не для каждой частоты есть соответствующий делитель). Реализовано это за счет фиксированной частоты контроллера памяти, которая, также как и частота ядер, может устанавливаться независимо. Так для существующих на сегодня процессоров Phenom, по умолчанию, частота контроллера памяти одинакова и равна 2 ГГц (множитель 10), в BIOS соответствующий пункт, как правило, связывается с частотой северного моста.
| Chaintech Apogee GT DDR2-1100 | |||||
| Частота памяти, МГц (DDR2 МГц) | 400 (800) | 533 (1066) | 551 (1102) | 575 (1150) | |
| Частота контроллера памяти в процессоре, МГц (DDR2 МГц) | 2000 (200x10) | 2000 (200x10) | 2070 (207x10) | 2160 (216x10) | |
| Частота ядер процессора, МГц (частота FSB x FID) | 2400 (200x12) | 2400 (200x12) | 2484 (207x12) | 2592 (216x12) | |
| Тайминги памяти по умолчанию, напряжение | 5-5-5-15-2T, 1,8 В | 5-7-7-25-2T, 1,95 В | 5-5-5-15-2T, 2,3 В | 5-7-7-25-2T, 2,3 В | |
| Минимальные тайминги памяти, напряжение | (не изучалось) | 5-5-5-15-2T, вплоть до 2,3 В | (не изучалось) | (не изучалось) | |
| Средняя ПСП на чтение (МБ/с), 1 ядро | 5456 | 6495 | 6983 | 7208 | |
| Средняя ПСП на запись (МБ/с), 1 ядро | 2702 | 3281 | 3775 | 3912 | |
| Макс. ПСП на чтение (МБ/с), 1 ядро | 5934 | 7472 | 8153 | 8424 | |
| Макс. ПСП на запись (МБ/с), 1 ядро | 6192 | 5887 | 5119 | 5366 | |
| Средняя ПСП на чтение (МБ/с), 4 ядра | 10460 | 11228 | 11531 | 12110 | |
| Средняя ПСП на запись (МБ/с), 4 ядра | 3448 | 3534 | 3735 | 3810 | |
| Макс. ПСП на чтение (w/PF, МБ/с), 4 ядра | 10816 | 11096 | 11407 | 11976 | |
| Макс. ПСП на запись (NT, МБ/с), 4 ядра | 6305 | 6305 | 6505 | 6786 | |
| Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс | 38,3 | 34,0 | 30,5 | 29,5 | |
| Минимальная латентность случайного доступа*, нс | 92,7 | 85,8 | 75,4 | 75,9 | |
*размер блока 32 МБ
Результаты демонстрируют стабильный рост показателей по мере увеличения частоты, причем даже в случае «чистого» увеличения частоты памяти (собственно переходу от DDR2-800 к DDR2-1066, не сопровождающегося увеличением частоты процессора), наблюдается очевидный рост реальной пропускной способности памяти и снижение латентности. Соответственно, покупка высокочастотной памяти может быть оправдана с практической точки зрения. Забавный сюрприз приподносит лишь тестирование скорости записи, точнее максимальная ПСП в режиме одноядерного доступа. Логическое объяснение такому разбросу результатов подобрать сложно, впрочем и повода для беспокойства нет, ведь средняя ПСП стабильно растет, причем опять же пропорционально росту частоты самой памяти, что гораздо важнее с точки зрения влияния на производительность в реальных программах. Тогда как пиковые значения — это чистая синтетика, которая представляет интерес для теоретических исследований архитектуры.
Надо упомянуть еще один практический нюанс. В тестированиях мы пользуемся ganged (объединенным) режимом работы контроллера памяти в процессорах Phenom, который обеспечивает более высокие результаты в режиме одноядерного доступа, а значит и в задачах, где критическим является скорость исполнения какого-то одного основного потока. Но для компьютеров, на которых запускаются многопоточные приложения с равным приоритетом, лучше использовать режим unganged. Итоги
Комплект модулей памяти Chaintech Apogee GT DDR2-1100 (PC2-8800) выглядит неплохим выбором для неэкстремально разогнанной системы на процессоре AMD Phenom. Как показывает практика, частота 2,6 ГГц как раз и является массово достижимой для процессоров на степпинге B2, тогда как для дальнейшего разгона требуется значительное повышения напряжений, да и степень удачности конкретного экземпляра играет не последнюю роль. Впрочем, такая оценка намекает и на то, что цены на такие модули должны быть исключительно практичными, иначе потребитель скорее обратится к продукции Corsair, Kingston и прочих грандов, в чьих линейках есть немало DDR2-модулей с куда более высокой максимальной частотой.
Средняя текущая цена (количество предложений) в московской рознице:
| Модули памяти Chaintech Apogee GT DDR2-1100 2x1024MБ | Н/Д(0) |
